NTMFS0D9N03CGT1G
IC
SO-8FL
可供量大可议
NTMFS0D9N03CGT1G
特性：先进封装（5x6 mm）， 具有出色的热传导性。 超低RDS(ON)， 可提高系统效率。 这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂， 符合RoHS标准。 应用：热插拔应用。 功率负载开关
品牌
onsemi
封装
SO-8FL
库存
88
货期
现货
NTMFS0D9N03CGT1G参数
| 封装 | SO-8FL |
|---|---|
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 88 |
NTMFS0D9N03CGT1G概述
特性：先进封装（5x6 mm）， 具有出色的热传导性。 超低RDS(ON)， 可提高系统效率。 这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂， 符合RoHS标准。 应用：热插拔应用。 功率负载开关
NTMFS0D9N03CGT1G特性
暂无产品特性。
NTMFS0D9N03CGT1G应用领域
暂无应用领域。