NTMFS0D6N04XMT1G
IC
SO-8FL
可供量大可议
NTMFS0D6N04XMT1G
特性：低导通电阻（RDS(on)）， 以最小化传导损耗。 低电容， 以最小化驱动损耗。 小尺寸（5×6mm）， 紧凑设计。 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂， 符合RoHS标准。 应用：电机驱动。 电池保护
品牌
onsemi
封装
SO-8FL
库存
3
货期
现货
NTMFS0D6N04XMT1G参数
| 封装 | SO-8FL |
|---|---|
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 3 |
NTMFS0D6N04XMT1G概述
特性：低导通电阻（RDS(on)）， 以最小化传导损耗。 低电容， 以最小化驱动损耗。 小尺寸（5×6mm）， 紧凑设计。 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂， 符合RoHS标准。 应用：电机驱动。 电池保护
NTMFS0D6N04XMT1G特性
暂无产品特性。
NTMFS0D6N04XMT1G应用领域
暂无应用领域。