NTMFS0D5N04XLT1G
IC
DFN-5(5x6)
可供量大可议
NTMFS0D5N04XLT1G
特性：低 RDS(on)， 以尽量减少传导损耗。 低 QRR， 具有软恢复功能， 以尽量减少 ERR 损耗和电压尖峰。 低 QG 和电容， 以尽量减少驱动和开关损耗。 这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂， 符合 RoHS 标准。 应用：高开关频率 DC-DC 转换。 同步整流
品牌
onsemi
封装
DFN-5(5x6)
库存
27
货期
现货
NTMFS0D5N04XLT1G参数
| 封装 | DFN-5(5x6) |
|---|---|
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 27 |
NTMFS0D5N04XLT1G概述
特性：低 RDS(on)， 以尽量减少传导损耗。 低 QRR， 具有软恢复功能， 以尽量减少 ERR 损耗和电压尖峰。 低 QG 和电容， 以尽量减少驱动和开关损耗。 这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂， 符合 RoHS 标准。 应用：高开关频率 DC-DC 转换。 同步整流
NTMFS0D5N04XLT1G特性
暂无产品特性。
NTMFS0D5N04XLT1G应用领域
暂无应用领域。