NTMFS015N10MCLT1G
IC
SO-8FL
可供量大可议
NTMFS015N10MCLT1G
特性：小尺寸封装（5x6 mm）， 适合紧凑设计。 低RθJC， 以减少传导损耗。 低QG和电容， 以减少驱动损耗。 适用于初级DC-DC MOSFET。 适用于DC-DC和AC-DC中的同步整流器。 适用于电机驱动。 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂， 符合RoHS标准
品牌
onsemi
封装
SO-8FL
库存
445
货期
现货
NTMFS015N10MCLT1G参数
| 封装 | SO-8FL |
|---|---|
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 445 |
NTMFS015N10MCLT1G概述
特性：小尺寸封装（5x6 mm）， 适合紧凑设计。 低RθJC， 以减少传导损耗。 低QG和电容， 以减少驱动损耗。 适用于初级DC-DC MOSFET。 适用于DC-DC和AC-DC中的同步整流器。 适用于电机驱动。 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂， 符合RoHS标准
NTMFS015N10MCLT1G特性
暂无产品特性。
NTMFS015N10MCLT1G应用领域
暂无应用领域。