NTMFS002P03P8ZT1G
IC
SO-8FL-EP-5.8mm
可供量大可议
NTMFS002P03P8ZT1G
特性：超低RDS(on)以提高系统效率。 采用5x6mm的先进封装技术， 节省空间并具有出色的热传导性能。 这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂， 符合RoHS标准。 应用：电源负载开关。 保护：反向电流、过电压和反向负电压
品牌
onsemi
封装
SO-8FL-EP-5.8mm
库存
1,437
货期
现货
NTMFS002P03P8ZT1G参数
| 封装 | SO-8FL-EP-5.8mm |
|---|---|
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 1437 |
NTMFS002P03P8ZT1G概述
特性：超低RDS(on)以提高系统效率。 采用5x6mm的先进封装技术， 节省空间并具有出色的热传导性能。 这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂， 符合RoHS标准。 应用：电源负载开关。 保护：反向电流、过电压和反向负电压
NTMFS002P03P8ZT1G特性
暂无产品特性。
NTMFS002P03P8ZT1G应用领域
暂无应用领域。