NTMFD5C466NT1G-HXY

本产品为N+N沟道场效应管（MOSFET）， 具备40A的连续漏极电流（ID）和40V的漏源击穿电压（VDSS）， 适用于中高功率应用场景。 导通电阻（RDON）低至6.9mΩ， 可有效降低导通损耗， 提高系统效率。 器件采用双沟道结构设计， 集成度高， 在电源管理、负载开关、电机控制及同步整流等场景中表现出良好的电气性能与稳定性。 适用于各类高效能电子设备中的功率转换与控制电路。