NTMFD5C466NT1G
自营可供
IC
DFN-8(4.9x5.9)
NTMFD5C466NT1G
2个N沟道 耐压:40V 电流:49A
品牌
onsemi
封装
DFN-8(4.9x5.9)
交期
现货
批次
—
NTMFD5C466NT1G参数
| 封装 | DFN-8(4.9x5.9) |
|---|---|
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 40V |
| 耗散功率(Pd) | 38W |
| 栅极电荷量(Qg) | 11nC@10V |
| 反向传输电容(Crss) | 14pF |
| 类型 | N沟道 |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
| 商品型号 | NTMFD5C466NT1G |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 0.000171 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 100 |
| 数量 | 2个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.75mΩ@10V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V |
| 输入电容(Ciss) | 650pF |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
| 输出电容(Coss) | 320pF |
| 商品名称 | 2个N沟道 耐压:40V 电流:49A |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 场效应管(MOSFET) |
NTMFD5C466NT1G概述
2个N沟道 耐压:40V 电流:49A
NTMFD5C466NT1G特性
- 小封装尺寸 (5x6 mm), 适合紧凑设计
- 低导通电阻RDS(on), 以最小化传导损耗
- 低栅极电荷QG和电容, 以最小化驱动损耗
- 这些器件无铅且符合RoHS标准
NTMFD5C466NT1G应用领域
- 电动工具、电池供电吸尘器
- 无人机、物料搬运设备
- 电池管理系统/储能、家庭自动化