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NTMD6N02R2G
IC

SOIC-8

可供量大可议

NTMD6N02R2G

功率 MOSFET, 6.0, 20 V, N 沟道增强模式, 双, SO? 8 封装

品牌

onsemi

封装

SOIC-8

库存

912

货期

现货

NTMD6N02R2G参数

封装SOIC-8
品牌onsemi(安森美)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存912

NTMD6N02R2G概述

功率 MOSFET, 6.0, 20 V, N 沟道增强模式, 双, SO? 8 封装

NTMD6N02R2G特性

暂无产品特性。

NTMD6N02R2G应用领域

暂无应用领域。

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