NTLJS3113PT1G-VB
IC
DFN-6(2x2)
可供量大可议
NTLJS3113PT1G-VB
台积电流片， 长电科技封装； DFN6(2X2)； P—Channel沟道； -20V； -10A； RDS(ON)=20(mΩ)@VGS=10V； VGS=±20V； Vth=-0.6V； 采用Trench技术
品牌
VBsemi
封装
DFN-6(2x2)
库存
10
货期
现货
NTLJS3113PT1G-VB参数
| 封装 | DFN-6(2x2) |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 10 |
NTLJS3113PT1G-VB概述
台积电流片， 长电科技封装； DFN6(2X2)； P—Channel沟道； -20V； -10A； RDS(ON)=20(mΩ)@VGS=10V； VGS=±20V； Vth=-0.6V； 采用Trench技术
NTLJS3113PT1G-VB特性
暂无产品特性。
NTLJS3113PT1G-VB应用领域
暂无应用领域。