NTLJF3117PT1G
IC
WDFN-6-EP(2x2)
可供量大可议
NTLJF3117PT1G
特性：FETKY配置， 包含MOSFET和低正向压降（Vf）肖特基二极管。 μCOO封装， 提供外露漏极焊盘， 实现出色的热传导。 2×2 mm占位面积， 与SC-88封装设计相同。 独立引脚排列， 提供电路设计灵活性。 低外形（< 0.8 mm）， 便于在轻薄环境中使用。 高电流肖特基二极管：2 A额定电流。 应用：优化用于便携式应用， 如手机、数码相机、媒体播放器等。 DC-DC降压电路
Brand
onsemi
Package
WDFN-6-EP(2x2)
Stock
176
货期
现货
NTLJF3117PT1GParameters
| 封装 | WDFN-6-EP(2x2) |
|---|---|
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 176 |
NTLJF3117PT1G概述
特性：FETKY配置， 包含MOSFET和低正向压降（Vf）肖特基二极管。 μCOO封装， 提供外露漏极焊盘， 实现出色的热传导。 2×2 mm占位面积， 与SC-88封装设计相同。 独立引脚排列， 提供电路设计灵活性。 低外形（< 0.8 mm）， 便于在轻薄环境中使用。 高电流肖特基二极管：2 A额定电流。 应用：优化用于便携式应用， 如手机、数码相机、媒体播放器等。 DC-DC降压电路
NTLJF3117PT1G特性
暂无产品特性。
NTLJF3117PT1G应用领域
暂无应用领域。