NTLJD3119CTBG
IC
WDFN-6(2x2)
可供量大可议
NTLJD3119CTBG
特性：互补N沟道和P沟道MOSFET。 WDFN封装， 带外露漏极焊盘， 具有出色的热传导性能。 封装尺寸与SC-88相同。 采用前沿沟槽技术， 导通电阻低。 栅极阈值电压为1.8 V。 低外形（< 0.8mm）， 便于在薄型环境中安装。 应用：同步DC-DC转换电路。 便携式设备（如PDA、手机和硬盘）的负载/电源管理
品牌
onsemi
封装
WDFN-6(2x2)
库存
198
货期
现货
NTLJD3119CTBG参数
| 封装 | WDFN-6(2x2) |
|---|---|
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 198 |
NTLJD3119CTBG概述
特性：互补N沟道和P沟道MOSFET。 WDFN封装， 带外露漏极焊盘， 具有出色的热传导性能。 封装尺寸与SC-88相同。 采用前沿沟槽技术， 导通电阻低。 栅极阈值电压为1.8 V。 低外形（< 0.8mm）， 便于在薄型环境中安装。 应用：同步DC-DC转换电路。 便携式设备（如PDA、手机和硬盘）的负载/电源管理
NTLJD3119CTBG特性
暂无产品特性。
NTLJD3119CTBG应用领域
暂无应用领域。