NTJS3157NT1G-VB
IC
SC-70-6
可供量大可议
NTJS3157NT1G-VB
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单N沟道场效应晶体管， 采用Trench技术， 适用于低功率控制和驱动应用， 包括传感器接口模块、电池管理模块、LED驱动模块等领域。 SC70-6； N—Channel沟道, 30V； 4.5A； RDS(ON)=23mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=0.5~2.5V
品牌
VBsemi
封装
SC-70-6
库存
20
货期
现货
NTJS3157NT1G-VB参数
| 封装 | SC-70-6 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 20 |
NTJS3157NT1G-VB概述
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单N沟道场效应晶体管， 采用Trench技术， 适用于低功率控制和驱动应用， 包括传感器接口模块、电池管理模块、LED驱动模块等领域。 SC70-6； N—Channel沟道, 30V； 4.5A； RDS(ON)=23mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=0.5~2.5V
NTJS3157NT1G-VB特性
暂无产品特性。
NTJS3157NT1G-VB应用领域
暂无应用领域。