NTJD5121NT1G
IC
SC-88
可供量大可议
NTJD5121NT1G
场效应管(MOSFET) 250mW 60V 295mA 2个N沟道
品牌
ON
封装
SC-88
库存
14,816
货期
现货
NTJD5121NT1G参数
| 封装 | SC-88 |
|---|---|
| 品牌 | ON(安森美) |
| 批次 | 两年内 |
| 数量 | 2个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.6Ω@10V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 输入电容(Ciss) | 26pF |
| 类型 | N沟道 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 14,816 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 耗散功率(Pd) | 250mW |
| 栅极电荷量(Qg) | 900pC@4.5V |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
NTJD5121NT1G概述
场效应管(MOSFET) 250mW 60V 295mA 2个N沟道
NTJD5121NT1G特性
暂无产品特性。
NTJD5121NT1G应用领域
暂无应用领域。