NTJD4158CT2G-VB
IC
SC-70-6
可供量大可议
NTJD4158CT2G-VB
台积电流片， 长电科技封装； 是一款双N型和P型沟道功率MOSFET， 采用Trench工艺， 适用于各种需要同时控制正负极电流的应用场合。 SC70-6； N+P—Channel沟道, ±20V； 3.28/-2.8A； RDS(ON)=90/155mΩ@VGS=4.5V, VGS=20V； Vth=±0.45~1V
品牌
VBsemi
封装
SC-70-6
库存
50
货期
现货
NTJD4158CT2G-VB参数
| 封装 | SC-70-6 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 50 |
NTJD4158CT2G-VB概述
台积电流片， 长电科技封装； 是一款双N型和P型沟道功率MOSFET， 采用Trench工艺， 适用于各种需要同时控制正负极电流的应用场合。 SC70-6； N+P—Channel沟道, ±20V； 3.28/-2.8A； RDS(ON)=90/155mΩ@VGS=4.5V, VGS=20V； Vth=±0.45~1V
NTJD4158CT2G-VB特性
暂无产品特性。
NTJD4158CT2G-VB应用领域
暂无应用领域。