NTJD4152PT1G
IC
SC-88
可供量大可议
NTJD4152PT1G
特性：领先的沟槽技术， 实现低导通电阻性能。 小尺寸封装（相当于SC70-6）。 栅极具有ESD保护。 NV前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用； 符合AEC-Q101标准且具备PPAP能力。 这些是无铅器件。 应用：负载/电源管理。 充电电路
品牌
onsemi
封装
SC-88
库存
5,090
货期
现货
NTJD4152PT1G参数
| 封装 | SC-88 |
|---|---|
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 5090 |
NTJD4152PT1G概述
特性：领先的沟槽技术， 实现低导通电阻性能。 小尺寸封装（相当于SC70-6）。 栅极具有ESD保护。 NV前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用； 符合AEC-Q101标准且具备PPAP能力。 这些是无铅器件。 应用：负载/电源管理。 充电电路
NTJD4152PT1G特性
暂无产品特性。
NTJD4152PT1G应用领域
暂无应用领域。