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NTJD4105CT1G-VB
IC

SC-70-6

可供量大可议

NTJD4105CT1G-VB

SC70-6; N+P—Channel沟道, ±20V; 3.28/-2.8A; RDS(ON)=90/155mΩ@VGS=4.5V, VGS=20V; Vth=±0.45~1V

Brand

VBsemi

Package

SC-70-6

Stock

35

货期

现货

NTJD4105CT1G-VBParameters

封装SC-70-6
品牌VBsemi(微碧半导体)
MOQ / SPQ1 / 5
分类场效应管(MOSFET)
库存35

NTJD4105CT1G-VB概述

SC70-6; N+P—Channel沟道, ±20V; 3.28/-2.8A; RDS(ON)=90/155mΩ@VGS=4.5V, VGS=20V; Vth=±0.45~1V

NTJD4105CT1G-VB特性

暂无产品特性。

NTJD4105CT1G-VB应用领域

暂无应用领域。

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