库存与价格 最近更新:2026年11月3日 23:36(北京时间)
WMiC电子元器件采购平台
热门搜索型号:
NTJD4001NT1G
自营可供
IC

SOT-363

NTJD4001NT1G

场效应管(MOSFET) 272mW 30V 250mA 2个N沟道

品牌

ON

封装

SOT-363

交期

现货

批次

26+

NTJD4001NT1G参数

封装SOT-363
品牌ON(安森美)
批次26+
数量2个N沟道
导通电阻(RDS(on))2.5Ω@2.5V
阈值电压(Vgs(th))1.5V
输入电容(Ciss)88pF
工作温度-55℃~+150℃
输出电容(Coss)32pF
分类场效应管(MOSFET)
库存97,338
MOQ / SPQ1 / 1
漏源电压(Vdss)30V
耗散功率(Pd)272mW
栅极电荷量(Qg)1.3nC@5V
反向传输电容(Crss)12pF
类型N沟道

NTJD4001NT1G概述

场效应管(MOSFET) 272mW 30V 250mA 2个N沟道

商务邮箱 / Email

sales@womaielec.com

点击发送邮件