NTJD1155LT1G
IC
SC-88
可供量大可议
NTJD1155LT1G
场效应管(MOSFET) 400mW 8V 1.3A 1个N沟道+1个P沟道
品牌
ON
封装
SC-88
库存
11,074
货期
现货
NTJD1155LT1G参数
| 封装 | SC-88 |
|---|---|
| 品牌 | ON(安森美) |
| 批次 | 两年内 |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 260mΩ@1.8V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 类型 | N沟道+P沟道 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 11,074 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 8V |
| 耗散功率(Pd) | 400mW |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 栅极电压(Vgs) | ±8V |
NTJD1155LT1G概述
场效应管(MOSFET) 400mW 8V 1.3A 1个N沟道+1个P沟道
NTJD1155LT1G特性
暂无产品特性。
NTJD1155LT1G应用领域
暂无应用领域。