NTHL040N120M3S
IC
TO-247-3L
可供量大可议
NTHL040N120M3S
特性：典型RDS(on) = 40 mΩ @ VGS = 18 V。 超低栅极电荷 (QG(tot) = 75 nC)。 低电容高速开关 (Coss = 80 pF)。 100% 雪崩测试。 此器件无卤， 符合RoHS指令7a豁免要求， 二级互连无铅。 应用：太阳能逆变器。 电动汽车充电站
品牌
onsemi
封装
TO-247-3L
库存
8
货期
现货
NTHL040N120M3S参数
| 封装 | TO-247-3L |
|---|---|
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 8 |
NTHL040N120M3S概述
特性：典型RDS(on) = 40 mΩ @ VGS = 18 V。 超低栅极电荷 (QG(tot) = 75 nC)。 低电容高速开关 (Coss = 80 pF)。 100% 雪崩测试。 此器件无卤， 符合RoHS指令7a豁免要求， 二级互连无铅。 应用：太阳能逆变器。 电动汽车充电站
NTHL040N120M3S特性
暂无产品特性。
NTHL040N120M3S应用领域
暂无应用领域。