NTHL027N65S3HF-HXY
IC
TO-247
可供量大可议
NTHL027N65S3HF-HXY
该N沟道碳化硅MOSFET具有108A的连续漏极电流（ID）和650V的漏源击穿电压（VDSS）， 导通电阻（RDS(ON)）低至20mΩ， 适用于高效率功率转换场景。 其栅源驱动电压范围为-10V至+25V， 具备良好的开关特性与热稳定性， 能够在高频工作条件下保持较低的导通与开关损耗， 适合用于对能效和体积有较高要求的电源系统中。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-247
库存
8
货期
现货
NTHL027N65S3HF-HXY参数
| 封装 | TO-247 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 8 |
NTHL027N65S3HF-HXY概述
该N沟道碳化硅MOSFET具有108A的连续漏极电流（ID）和650V的漏源击穿电压（VDSS）， 导通电阻（RDS(ON)）低至20mΩ， 适用于高效率功率转换场景。 其栅源驱动电压范围为-10V至+25V， 具备良好的开关特性与热稳定性， 能够在高频工作条件下保持较低的导通与开关损耗， 适合用于对能效和体积有较高要求的电源系统中。
NTHL027N65S3HF-HXY特性
暂无产品特性。
NTHL027N65S3HF-HXY应用领域
暂无应用领域。