NTH4LN067N65S3H-HXY

本产品为650V N沟道增强型场效应晶体管（MOSFET）， 具备良好的导通特性和开关性能。 其最大漏极电流ID为29A， 导通电阻RDON低至60mΩ， 有助于降低导通损耗， 提高系统能效。 器件采用成熟半导体工艺制造， 具备较高的耐用性和稳定性， 适用于多种高性能电源转换场景， 如高效节能电源、智能电网设备及可再生能源系统中的功率控制单元。