NTH4L040N65S3F
IC
TO-247-4
可供量大可议
NTH4L040N65S3F
1个N沟道 耐压:650V 电流:65A
品牌
onsemi
封装
TO-247-4
库存
10
货期
现货
NTH4L040N65S3F参数
| 封装 | TO-247-4 |
|---|---|
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 650V |
| 耗散功率(Pd) | 446W |
| 栅极电荷量(Qg) | 158nC@10V |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 输出电容(Coss) | 140pF |
| 商品名称 | 1个N沟道 耐压:650V 电流:65A |
| 包装方式 | 管装 |
| 商品类型 | 场效应管(MOSFET) |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 10 |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 40mΩ@10V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V |
| 输入电容(Ciss) | 5.94nF |
| 类型 | N沟道 |
| 栅极电压(Vgs) | ±30V |
| 商品型号 | NTH4L040N65S3F |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 0.007718 |
NTH4L040N65S3F概述
SUPERFET III MOSFET是安森美半导体全新的高压超结(SJ)MOSFET系列, 采用电荷平衡技术, 具备出色的低导通电阻和低栅极电荷性能。 这项先进技术旨在最大程度降低传导损耗, 提供卓越的开关性能, 并能承受极高的dv/dt速率。 因此, SUPERFET III MOSFET非常适合各种追求小型化和更高效率的电源系统。 SUPERFET III FRFET MOSFET的体二极管经过优化, 具备出色的反向恢复性能, 可减少额外元件的使用并提高系统可靠性。
NTH4L040N65S3F特性
- 700 V @ TJ = 150°C
- 典型RDS(on) = 32 mΩ
- 超低栅极电荷(典型Qg = 158 nC)
- 低有效输出电容(典型Coss(eff. ) = 1366 pF)
- 100%经过雪崩测试
- 这些器件无铅且符合RoHS标准
NTH4L040N65S3F应用领域
- 电信/服务器电源-工业电源-电动汽车充电器-不间断电源/太阳能