NTH4L040N120M3S
IC
TO-247-4
可供量大可议
NTH4L040N120M3S
特性：典型导通电阻RDS(on) = 40mΩ， 栅源电压VGS = 18V。 超低栅极电荷 (QG(tot) = 75nC)。 低电容高速开关 (Coss = 80pF)。 100% 雪崩测试。 该器件无卤化物， 符合RoHS指令豁免条款7a， 二级互连无铅 (2LI)。 应用：太阳能逆变器。 电动汽车充电站
品牌
onsemi
封装
TO-247-4
库存
3
货期
现货
NTH4L040N120M3S参数
| 封装 | TO-247-4 |
|---|---|
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 3 |
NTH4L040N120M3S概述
特性：典型导通电阻RDS(on) = 40mΩ， 栅源电压VGS = 18V。 超低栅极电荷 (QG(tot) = 75nC)。 低电容高速开关 (Coss = 80pF)。 100% 雪崩测试。 该器件无卤化物， 符合RoHS指令豁免条款7a， 二级互连无铅 (2LI)。 应用：太阳能逆变器。 电动汽车充电站
NTH4L040N120M3S特性
暂无产品特性。
NTH4L040N120M3S应用领域
暂无应用领域。