NTGS3446T1G
IC
TSOP-6
可供量大可议
NTGS3446T1G
特性：超低导通电阻（RDS(on)）。 更高的效率， 延长电池续航时间。 逻辑电平栅极驱动。 二极管具有高速、软恢复特性。 规定雪崩能量。 规定高温下的漏电流（IDSS）。 应用：便携式和电池供电产品的电源管理， 如电脑、打印机、PCMCIA卡、手机和无绳设备。 锂离子电池应用
品牌
onsemi
封装
TSOP-6
库存
126
货期
现货
NTGS3446T1G参数
| 封装 | TSOP-6 |
|---|---|
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 126 |
NTGS3446T1G概述
特性：超低导通电阻（RDS(on)）。 更高的效率， 延长电池续航时间。 逻辑电平栅极驱动。 二极管具有高速、软恢复特性。 规定雪崩能量。 规定高温下的漏电流（IDSS）。 应用：便携式和电池供电产品的电源管理， 如电脑、打印机、PCMCIA卡、手机和无绳设备。 锂离子电池应用
NTGS3446T1G特性
暂无产品特性。
NTGS3446T1G应用领域
暂无应用领域。