NTGD1100LT1G
IC
SOT-23-6
可供量大可议
NTGD1100LT1G
P—Channel沟道, -򘞟 򏟋 V, -󺺆 A, RDS(ON), 𛾾 𢺫 mΩ@󺺆 񄂹 𢺫 V, 󗙻 򏟋 򏟋 mΩ@򘞟 񄂹 𢺫 V, 󗙻 򘞟 Vgs(±V)； -󗙻 񄂹 򘞟 ~-򘞟 񄂹 򘞟 Vth(V) 封装：SOT򘞟 򬓹 -𮧂
品牌
VBsemi
封装
SOT-23-6
库存
148
货期
现货
NTGD1100LT1G参数
| 封装 | SOT-23-6 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi/微碧半导体 |
| 批次 | 22+ |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 148 |
| MOQ / SPQ | 5 / 1 |
NTGD1100LT1G概述
P—Channel沟道, -򘞟 򏟋 V, -󺺆 A, RDS(ON), 𛾾 𢺫 mΩ@󺺆 񄂹 𢺫 V, 󗙻 򏟋 򏟋 mΩ@򘞟 񄂹 𢺫 V, 󗙻 򘞟 Vgs(±V)； -󗙻 񄂹 򘞟 ~-򘞟 񄂹 򘞟 Vth(V) 封装：SOT򘞟 򬓹 -𮧂
NTGD1100LT1G特性
暂无产品特性。
NTGD1100LT1G应用领域
暂无应用领域。