NTF2955T1G
IC
SOT-223
可供量大可议
NTF2955T1G
场效应管(MOSFET) 1W 60V 1.7A 1个P沟道
品牌
ON
封装
SOT-223
库存
10,629
货期
现货
NTF2955T1G参数
| 封装 | SOT-223 |
|---|---|
| 品牌 | ON(安森美) |
| 批次 | 两年内 |
| 数量 | 1个P沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 185mΩ@10V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 输入电容(Ciss) | 492pF |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
| 输出电容(Coss) | 165pF |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 10,629 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 耗散功率(Pd) | 2.3W |
| 栅极电荷量(Qg) | 14.3nC@10V |
| 反向传输电容(Crss) | 50pF |
| 类型 | P沟道 |
NTF2955T1G概述
场效应管(MOSFET) 1W 60V 1.7A 1个P沟道
NTF2955T1G特性
暂无产品特性。
NTF2955T1G应用领域
暂无应用领域。