NTE642-HXY
IC
SMB
可供量大可议
NTE642-HXY
该肖特基二极管为独立式配置, 具有2A的平均正向电流(IF)和100V的反向重复峰值电压(VR)。 其正向压降(VF)典型值为0.85V, 在100V反向电压下漏电流(IR)不超过100μA。 器件可承受高达50A的非重复浪涌正向电流(IFSM), 适用于对效率和响应速度要求较高的整流与开关场景。 低导通压降有助于减少功耗, 提升系统能效, 适合用于电源转换、适配器及各类电子设备中的续流与保护电路。
品牌
HXY MOSFET
封装
SMB
库存
185
货期
现货
NTE642-HXY参数
| 封装 | SMB |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 185 |
NTE642-HXY概述
该肖特基二极管为独立式配置, 具有2A的平均正向电流(IF)和100V的反向重复峰值电压(VR)。 其正向压降(VF)典型值为0.85V, 在100V反向电压下漏电流(IR)不超过100μA。 器件可承受高达50A的非重复浪涌正向电流(IFSM), 适用于对效率和响应速度要求较高的整流与开关场景。 低导通压降有助于减少功耗, 提升系统能效, 适合用于电源转换、适配器及各类电子设备中的续流与保护电路。
NTE642-HXY特性
暂无产品特性。
NTE642-HXY应用领域
暂无应用领域。
