NTE640-HXY
IC
SMB
可供量大可议
NTE640-HXY
该肖特基二极管为独立式配置, 具有2A的额定正向电流和40V的最大反向电压。 其正向压降为0.55V, 有助于降低导通损耗; 在反向偏置条件下, 漏电流为500μA。 器件可承受高达50A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于对效率和瞬态响应有要求的整流、续流及电源极性保护等电路场合。 低VF特性使其在高频或紧凑型电源设计中表现良好。
品牌
HXY MOSFET
封装
SMB
库存
185
货期
现货
NTE640-HXY参数
| 封装 | SMB |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 185 |
NTE640-HXY概述
该肖特基二极管为独立式配置, 具有2A的额定正向电流和40V的最大反向电压。 其正向压降为0.55V, 有助于降低导通损耗; 在反向偏置条件下, 漏电流为500μA。 器件可承受高达50A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于对效率和瞬态响应有要求的整流、续流及电源极性保护等电路场合。 低VF特性使其在高频或紧凑型电源设计中表现良好。
NTE640-HXY特性
暂无产品特性。
NTE640-HXY应用领域
暂无应用领域。
