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NTE4153NT1G
自营可供
IC

SC-89

NTE4153NT1G

场效应管(MOSFET) 300mW 20V 915mA 1个N沟道

品牌

ON

封装

SC-89

交期

现货

批次

26+

NTE4153NT1G参数

封装SC-89
品牌ON(安森美)
批次26+
数量1个N沟道
导通电阻(RDS(on))127mΩ@4.5V
栅极电荷量(Qg)1.82nC
反向传输电容(Crss)12pF
分类场效应管(MOSFET)
库存7,899
MOQ / SPQ1 / 1
漏源电压(Vdss)20V
阈值电压(Vgs(th))450mV
输入电容(Ciss)110pF
工作温度-55℃~+150℃

NTE4153NT1G概述

场效应管(MOSFET) 300mW 20V 915mA 1个N沟道

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