NTE123AP-HXY
IC
TO-92
可供量大可议
NTE123AP-HXY
这款NPN型三极管(BJT)具有0.6A的集电极电流IC和40V的集电极-发射极击穿电压VCEO, 适用于广泛的电子设备。 其直流电流增益HFE在100到300之间, 保证了有效的信号放大性能。 此外, 该三极管的过渡频率FT达到300MHz, 展示了其在高频运作下的卓越能力。 这些特性使其成为需要高效电源管理和信号处理解决方案的理想选择, 如无线通信装置及消费类电子产品中, 确保稳定可靠的性能表现。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-92
库存
264
货期
现货
NTE123AP-HXY参数
| 封装 | TO-92 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 三极管(BJT) |
|---|---|
| 库存 | 264 |
NTE123AP-HXY概述
这款NPN型三极管(BJT)具有0.6A的集电极电流IC和40V的集电极-发射极击穿电压VCEO, 适用于广泛的电子设备。 其直流电流增益HFE在100到300之间, 保证了有效的信号放大性能。 此外, 该三极管的过渡频率FT达到300MHz, 展示了其在高频运作下的卓越能力。 这些特性使其成为需要高效电源管理和信号处理解决方案的理想选择, 如无线通信装置及消费类电子产品中, 确保稳定可靠的性能表现。
NTE123AP-HXY特性
暂无产品特性。
NTE123AP-HXY应用领域
暂无应用领域。
