NTDV3055L104T4G-HXY
IC
TO-252-2L
可供量大可议
NTDV3055L104T4G-HXY
该器件是一款N沟道场效应管, 其核心特性在于能够承受60V的漏源击穿电压, 并在20V的栅源电压下工作。 其导通电阻为88mΩ, 能够处理8A的连续漏极电流。 基于这些电气特性, 它主要适用于中低压环境下的功率管理。 在电路设计中, 该器件常被用作高效的电子开关, 负责控制负载的通断。 此外, 它也广泛应用于各类电源转换模块中, 通过快速切换来实现电压的调节与稳定, 确保后端电路获得持续且洁净的电力供应。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-252-2L
库存
34
货期
现货
NTDV3055L104T4G-HXY参数
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 34 |
NTDV3055L104T4G-HXY概述
该器件是一款N沟道场效应管, 其核心特性在于能够承受60V的漏源击穿电压, 并在20V的栅源电压下工作。 其导通电阻为88mΩ, 能够处理8A的连续漏极电流。 基于这些电气特性, 它主要适用于中低压环境下的功率管理。 在电路设计中, 该器件常被用作高效的电子开关, 负责控制负载的通断。 此外, 它也广泛应用于各类电源转换模块中, 通过快速切换来实现电压的调节与稳定, 确保后端电路获得持续且洁净的电力供应。
NTDV3055L104T4G-HXY特性
暂无产品特性。
NTDV3055L104T4G-HXY应用领域
暂无应用领域。
