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NTDV3055L104T4G-HXY
IC

TO-252-2L

可供量大可议

NTDV3055L104T4G-HXY

该器件是一款N沟道场效应管, 其核心特性在于能够承受60V的漏源击穿电压, 并在20V的栅源电压下工作。 其导通电阻为88mΩ, 能够处理8A的连续漏极电流。 基于这些电气特性, 它主要适用于中低压环境下的功率管理。 在电路设计中, 该器件常被用作高效的电子开关, 负责控制负载的通断。 此外, 它也广泛应用于各类电源转换模块中, 通过快速切换来实现电压的调节与稳定, 确保后端电路获得持续且洁净的电力供应。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-252-2L

库存

34

货期

现货

NTDV3055L104T4G-HXY参数

封装TO-252-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存34

NTDV3055L104T4G-HXY概述

该器件是一款N沟道场效应管, 其核心特性在于能够承受60V的漏源击穿电压, 并在20V的栅源电压下工作。 其导通电阻为88mΩ, 能够处理8A的连续漏极电流。 基于这些电气特性, 它主要适用于中低压环境下的功率管理。 在电路设计中, 该器件常被用作高效的电子开关, 负责控制负载的通断。 此外, 它也广泛应用于各类电源转换模块中, 通过快速切换来实现电压的调节与稳定, 确保后端电路获得持续且洁净的电力供应。

NTDV3055L104T4G-HXY特性

暂无产品特性。

NTDV3055L104T4G-HXY应用领域

暂无应用领域。

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