NTDV20P06LT4G-VF01-HXY

该P沟道场效应管最大漏源电压为60V， 连续漏极电流达10A， 导通电阻典型值为125毫欧， 栅源电压耐受范围为±20V。 器件适用于中低压电源管理、负载开关及电池保护电路， 在便携式设备、消费类电子及通信模块中可实现高效电能控制与信号切换， 具备稳定的静态特性与快速响应能力。