NTD6416ANT4G-HXY
IC
TO-252
可供量大可议
NTD6416ANT4G-HXY
此款消费级N沟道MOSFET采用TO-252-2L封装， 具有100V耐压及高达20A的连续电流承载能力， 专为高性能电子设备设计， 应用于电源转换、电机控制等领域， 提供卓越的功率开关效能与稳定性。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-252
库存
120
货期
现货
NTD6416ANT4G-HXY参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 120 |
NTD6416ANT4G-HXY概述
此款消费级N沟道MOSFET采用TO-252-2L封装， 具有100V耐压及高达20A的连续电流承载能力， 专为高性能电子设备设计， 应用于电源转换、电机控制等领域， 提供卓越的功率开关效能与稳定性。
NTD6416ANT4G-HXY特性
暂无产品特性。
NTD6416ANT4G-HXY应用领域
暂无应用领域。