NTD6415ANLT4G-HXY
IC
TO-252-2L
可供量大可议
NTD6415ANLT4G-HXY
NTD6415ANL 是一款高性能N沟道MOSFET， 采用紧凑型TO-252-2L封装， 适用于高功率、大电流应用场合。 该器件具备100V的高耐压和30A的连续电流处理能力， 特别适合于电源转换、电机驱动等高要求领域。 其导通电阻仅为35mΩ， 有效减少了功率损耗， 提高了整体能效。 NTD6415ANL MOS管是您设计高效、节能电子系统的理想之选。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-252-2L
库存
11
货期
现货
NTD6415ANLT4G-HXY参数
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 11 |
NTD6415ANLT4G-HXY概述
NTD6415ANL 是一款高性能N沟道MOSFET， 采用紧凑型TO-252-2L封装， 适用于高功率、大电流应用场合。 该器件具备100V的高耐压和30A的连续电流处理能力， 特别适合于电源转换、电机驱动等高要求领域。 其导通电阻仅为35mΩ， 有效减少了功率损耗， 提高了整体能效。 NTD6415ANL MOS管是您设计高效、节能电子系统的理想之选。
NTD6415ANLT4G-HXY特性
暂无产品特性。
NTD6415ANLT4G-HXY应用领域
暂无应用领域。