NTD600N80S3Z

800 V SUPERFET III MOSFET 是高性能 MOSFET 系列， 提供 800 V 击穿电压。 新的 800 V SUPERFET III MOSFET 针对反激式转换器的初级开关进行了优化， 凭借其优化设计， 能够在不影响 EMI 性能的情况下降低开关损耗和外壳温度。 此外， 内部齐纳二极管显著提高了 ESD 能力。 这一新型 800 V SUPERFET III MOSFET 系列因其在开关电源应用（如笔记本电脑适配器、音频、照明、ATX 电源和工业电源）中的卓越性能， 能够实现更高效、紧凑、低温和更可靠的应用。