NTD5867NLT4G(UMW)
IC
TO-252
可供量大可议
NTD5867NLT4G(UMW)
特性：VDS(V) = 60V。 ID = 20A (VGS = 10V)。 RDS(ON) < 39mΩ (VGS = 10V)。 RDS(ON) < 50mΩ (VGS = 4.5V)。 低RDS(ON)。 高电流能力
品牌
UMW
封装
TO-252
库存
3,105
货期
现货
NTD5867NLT4G(UMW)参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | UMW(友台半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 3105 |
NTD5867NLT4G(UMW)概述
特性：VDS(V) = 60V。 ID = 20A (VGS = 10V)。 RDS(ON) < 39mΩ (VGS = 10V)。 RDS(ON) < 50mΩ (VGS = 4.5V)。 低RDS(ON)。 高电流能力
NTD5867NLT4G(UMW)特性
暂无产品特性。
NTD5867NLT4G(UMW)应用领域
暂无应用领域。