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NTD5867NL-VB
IC

TO-252-2

可供量大可议

NTD5867NL-VB

特性:无卤, 符合IEC 61249-2-21定义。 沟槽功率MOSFET。 100% Rg和UIS测试。 符合RoHS指令2002/95/EC。 应用:电源。 二次同步整流

品牌

VBsemi

封装

TO-252-2

库存

1

货期

现货

NTD5867NL-VB参数

封装TO-252-2
品牌VBsemi(微碧半导体)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存1

NTD5867NL-VB概述

特性:无卤, 符合IEC 61249-2-21定义。 沟槽功率MOSFET。 100% Rg和UIS测试。 符合RoHS指令2002/95/EC。 应用:电源。 二次同步整流

NTD5867NL-VB特性

暂无产品特性。

NTD5867NL-VB应用领域

暂无应用领域。

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