NTD4979NT4G-HXY

该N沟道MOSFET支持60A的连续漏极电流， 最大漏源电压为30V， 导通电阻典型值为7毫欧。 凭借较低的导通电阻和较高的电流承载能力， 器件在导通状态下的功率损耗较小， 有助于提升系统效率。 适用于高电流、高频率工作的电源转换、电机控制及各类开关电路中， 能够在紧凑布局下维持良好的热性能与电气稳定性。