NTD4970NT4G-HXY
IC
TO-252-2L
可供量大可议
NTD4970NT4G-HXY
该N沟道场效应管（MOSFET）具备60A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS）， 导通电阻（RDS(ON)）为7毫欧。 凭借低导通电阻与高电流承载能力， 器件在大电流开关应用中可有效降低导通损耗， 提升系统效率。 适用于电源管理、电机控制、电池保护及各类高效率功率转换电路， 在持续高负载条件下仍能保持良好的热性能与稳定性。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-252-2L
库存
98
货期
现货
NTD4970NT4G-HXY参数
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 98 |
NTD4970NT4G-HXY概述
该N沟道场效应管（MOSFET）具备60A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS）， 导通电阻（RDS(ON)）为7毫欧。 凭借低导通电阻与高电流承载能力， 器件在大电流开关应用中可有效降低导通损耗， 提升系统效率。 适用于电源管理、电机控制、电池保护及各类高效率功率转换电路， 在持续高负载条件下仍能保持良好的热性能与稳定性。
NTD4970NT4G-HXY特性
暂无产品特性。
NTD4970NT4G-HXY应用领域
暂无应用领域。