NTD4969NT4G-HXY
IC
TO-252-2L
可供量大可议
NTD4969NT4G-HXY
该N沟道场效应管（MOSFET）具有60A的连续漏极电流（ID）、30V的漏源击穿电压（VDSS）， 以及7毫欧的导通电阻（RDS(ON)）。 其参数组合使其在中等功率开关应用中具备良好的导通特性和热表现。 适用于电源管理、直流-直流转换器、电机驱动及高效率负载开关等场合， 能够在频繁开关和持续电流负载条件下保持稳定运行。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-252-2L
库存
90
货期
现货
NTD4969NT4G-HXY参数
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 90 |
NTD4969NT4G-HXY概述
该N沟道场效应管（MOSFET）具有60A的连续漏极电流（ID）、30V的漏源击穿电压（VDSS）， 以及7毫欧的导通电阻（RDS(ON)）。 其参数组合使其在中等功率开关应用中具备良好的导通特性和热表现。 适用于电源管理、直流-直流转换器、电机驱动及高效率负载开关等场合， 能够在频繁开关和持续电流负载条件下保持稳定运行。
NTD4969NT4G-HXY特性
暂无产品特性。
NTD4969NT4G-HXY应用领域
暂无应用领域。