NTD4965NT4G-HXY

该N沟道场效应管（MOSFET）具备120A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS）， 导通电阻（RDS(ON)）仅为3毫欧。 低导通电阻有效降低导通状态下的功率损耗， 提升系统效率。 器件适用于高电流、高频开关场景， 如电源转换、电池管理系统及大功率负载控制等应用， 能够在持续大电流工作条件下保持良好的热性能与电气稳定性。