NTD4960NT4G-HXY

该N沟道MOSFET具备80A的连续漏极电流能力， 最大漏源电压为30V， 导通电阻仅为5毫欧。 其低RDS(ON)特性可有效降低导通损耗， 在高电流开关应用中维持较低功耗与温升。 适用于电源管理、直流-直流转换器、电机驱动及各类需要高效能功率开关的电子系统， 能够支持频繁开关操作并保持良好的热稳定性。