NTD4959NHT4G-HXY
IC
TO-252-2L
可供量大可议
NTD4959NHT4G-HXY
该N沟道场效应管（MOSFET）具有30V的漏源击穿电压（VDSS）， 连续漏极电流（ID）可达60A， 导通电阻（RDS(ON)）典型值为7毫欧。 其极低的导通电阻有助于显著降低导通损耗， 在高电流工作条件下仍能维持良好的热性能。 适用于高效电源转换、大功率负载开关以及对能效和紧凑布局有较高要求的电子系统中， 能够支持稳定的高频开关操作。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-252-2L
库存
97
货期
现货
NTD4959NHT4G-HXY参数
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 97 |
NTD4959NHT4G-HXY概述
该N沟道场效应管（MOSFET）具有30V的漏源击穿电压（VDSS）， 连续漏极电流（ID）可达60A， 导通电阻（RDS(ON)）典型值为7毫欧。 其极低的导通电阻有助于显著降低导通损耗， 在高电流工作条件下仍能维持良好的热性能。 适用于高效电源转换、大功率负载开关以及对能效和紧凑布局有较高要求的电子系统中， 能够支持稳定的高频开关操作。
NTD4959NHT4G-HXY特性
暂无产品特性。
NTD4959NHT4G-HXY应用领域
暂无应用领域。