NTD4909NAT4G-HXY
IC
TO-252-2L
可供量大可议
NTD4909NAT4G-HXY
该N沟道MOSFET具有60A的连续漏极电流能力， 最大漏源电压为30V， 导通电阻低至7毫欧。 其低RDS(ON)有助于显著降低导通损耗， 在高电流工作条件下维持较低的温升。 适用于高效电源转换、电池供电系统、电动工具以及对功率密度和热性能有较高要求的电子设备中， 能够支持稳定可靠的开关操作。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-252-2L
库存
90
货期
现货
NTD4909NAT4G-HXY参数
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 90 |
NTD4909NAT4G-HXY概述
该N沟道MOSFET具有60A的连续漏极电流能力， 最大漏源电压为30V， 导通电阻低至7毫欧。 其低RDS(ON)有助于显著降低导通损耗， 在高电流工作条件下维持较低的温升。 适用于高效电源转换、电池供电系统、电动工具以及对功率密度和热性能有较高要求的电子设备中， 能够支持稳定可靠的开关操作。
NTD4909NAT4G-HXY特性
暂无产品特性。
NTD4909NAT4G-HXY应用领域
暂无应用领域。