NTD4906NT4G-HXY
IC
TO-252-2L
可供量大可议
NTD4906NT4G-HXY
该N沟道场效应管（MOSFET）具备80A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS）， 导通电阻（RDS(ON)）仅为5毫欧。 低导通电阻有效降低导通状态下的功率损耗， 提升整体能效。 器件适用于高电流、高效率要求的电源转换场合， 如开关电源、便携式储能设备及各类需要频繁开关操作的电子系统中， 能够提供稳定可靠的性能表现。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-252-2L
库存
90
货期
现货
NTD4906NT4G-HXY参数
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 90 |
NTD4906NT4G-HXY概述
该N沟道场效应管（MOSFET）具备80A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS）， 导通电阻（RDS(ON)）仅为5毫欧。 低导通电阻有效降低导通状态下的功率损耗， 提升整体能效。 器件适用于高电流、高效率要求的电源转换场合， 如开关电源、便携式储能设备及各类需要频繁开关操作的电子系统中， 能够提供稳定可靠的性能表现。
NTD4906NT4G-HXY特性
暂无产品特性。
NTD4906NT4G-HXY应用领域
暂无应用领域。