NTD4905NT4G-HXY
IC
TO-252-2L
可供量大可议
NTD4905NT4G-HXY
该N沟道MOSFET具备100A的连续漏极电流和30V的漏源击穿电压， 导通电阻仅为3.8毫欧。 其极低的RDS(ON)有效降低导通损耗， 在大电流开关应用中维持较低温升。 适用于高效率电源转换、电池管理系统、电动工具驱动及各类高功率密度的电子设备中， 能够支持频繁开关操作并保持稳定性能。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-252-2L
库存
85
货期
现货
NTD4905NT4G-HXY参数
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 85 |
NTD4905NT4G-HXY概述
该N沟道MOSFET具备100A的连续漏极电流和30V的漏源击穿电压， 导通电阻仅为3.8毫欧。 其极低的RDS(ON)有效降低导通损耗， 在大电流开关应用中维持较低温升。 适用于高效率电源转换、电池管理系统、电动工具驱动及各类高功率密度的电子设备中， 能够支持频繁开关操作并保持稳定性能。
NTD4905NT4G-HXY特性
暂无产品特性。
NTD4905NT4G-HXY应用领域
暂无应用领域。