NTD4860NT4G
IC
DPAK
可供量大可议
NTD4860NT4G
特性：沟槽技术， 低RDS(on)以最小化传导损耗。 低电容以最小化驱动损耗。 优化的栅极电荷以最小化开关损耗。 这些是无铅器件。 应用：VCORE应用。 DC-DC转换器
品牌
onsemi
封装
DPAK
库存
9
货期
现货
NTD4860NT4G参数
| 封装 | DPAK |
|---|---|
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 9 |
NTD4860NT4G概述
特性：沟槽技术， 低RDS(on)以最小化传导损耗。 低电容以最小化驱动损耗。 优化的栅极电荷以最小化开关损耗。 这些是无铅器件。 应用：VCORE应用。 DC-DC转换器
NTD4860NT4G特性
暂无产品特性。
NTD4860NT4G应用领域
暂无应用领域。