NTD4810NHT4G-HXY

该N沟道场效应管（MOSFET）具备60A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS）， 导通电阻（RDS(ON)）为7毫欧， 在高电流应用中可有效控制功率损耗。 器件适用于需要高效能开关操作的场合， 如电源转换、电池管理系统及各类电子负载控制电路。 其低导通电阻与高电流承载能力有助于提升系统整体效率， 并支持紧凑型电路布局设计。