NTD4806NT4G-HXY
IC
TO-252-2L
可供量大可议
NTD4806NT4G-HXY
该N沟道MOSFET的连续漏极电流（ID）为80A， 漏源击穿电压（VDSS）为30V， 导通电阻（RDS(ON)）典型值为5毫欧。 在高电流工作条件下， 低导通电阻有助于显著降低功率损耗， 提升系统效率。 器件适用于高频率开关电源、直流-直流转换器及各类高效能电子设备中的功率管理模块， 能够在紧凑电路布局中实现稳定可靠的开关性能。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-252-2L
库存
95
货期
现货
NTD4806NT4G-HXY参数
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 95 |
NTD4806NT4G-HXY概述
该N沟道MOSFET的连续漏极电流（ID）为80A， 漏源击穿电压（VDSS）为30V， 导通电阻（RDS(ON)）典型值为5毫欧。 在高电流工作条件下， 低导通电阻有助于显著降低功率损耗， 提升系统效率。 器件适用于高频率开关电源、直流-直流转换器及各类高效能电子设备中的功率管理模块， 能够在紧凑电路布局中实现稳定可靠的开关性能。
NTD4806NT4G-HXY特性
暂无产品特性。
NTD4806NT4G-HXY应用领域
暂无应用领域。