NTD4806NAT4G-HXY

该N沟道场效应管（MOSFET）具备80A的连续漏极电流能力， 最大漏源电压为30V， 导通电阻低至5毫欧。 其高电流承载能力和极低的导通损耗使其适用于对效率和热性能要求较高的电源管理场景。 器件在大电流工作状态下仍能保持较低的温升， 适合用于各类高密度、高效率的开关电路中， 能够有效提升系统整体能效与稳定性。